Исследование схем включения биполярных транзисторов

Исследование биполярного транзистора

Усилитель представляет собой четырехполюсник, у которого два вывода являются входом и два вывода являются выходом. Структурная схема включения усилителя приведена на рисунке 1. Основной усилительный элемент — транзистор имеет всего три вывода, поэтому один из выводов транзистора приходится использовать одновременно для подключения источника сигнала как входной вывод и подключения нагрузки как выходной вывод. Схема с общей базой — это усилитель, где база транзистора используется как для подключения входного сигнала, так и для подключения нагрузки.

ОБ, ОЭ, ОК... Взгляд с точки зрения транзистора. Для начинающих

Составной транзистор, выполненный по каскодной схеме представляет собой усилитель, в котором транзистор VI включен по схеме с ОЭ, a V2 — по схеме с ОБ. Основы электроакустики Путь к качественному звуку. Главная » Усилители. Сравнение схем включения транзисторов. Схемы включения биполярных транзисторов. В схеме с ОБ входным управляющим является ток Iэ, а выходным — ток Iк.

Сравнение схем включения транзисторов
Схемы включения биполярных транзисторов
Исследование биполярного транзистора, включенного с общей базой
3.2.1. Способы включения бипролярного транзистора
Схема с общей базой (каскад с общей базой)
Схемы включения транзистора

Биполярным транзистором называется трехэлектродный усилительный полупроводниковый прибор, имеющий трехслойную p-n-p, либо n-p-n структуру с двумя взаимодействующими ключевое слово p-n переходами. Термин «биполярный» подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков - как дырок, так и электронов. На рис. Промежуточная n область называется базой.

Структура и режимы работы биполярного транзистора. Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей полупроводника с чередующимися типами проводимости, разделенными р-п- переходами. Из-за близкого расположения р-п- переходов между ними существует взаимодействие. Каждая область транзистора выполняет определенную функцию, поэтому концентрации легирующих примесей в них и названия областей различны.

Похожие статьи